Numer produktu producenta:
TSM180N03PQ33 RGG
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM180N03PQ33 RGG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 25A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.08)
Magazyn:
10000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12894329
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM180N03PQ33 RGG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
345 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
21W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PDFN (3.1x3.08)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
TSM180
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
TSM180N03PQ33 RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT
TSM180N03PQ33RGGDKR
TSM180N03PQ33 RGGCT-DG
TSM180N03PQ33 RGGTR-DG
TSM180N03PQ33RGGCT
TSM180N03PQ33 RGGTR
TSM180N03PQ33RGGTR
TSM180N03PQ33 RGGDKR-DG
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMT47M2SFVWQ-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
DMP3017SFK-7
MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
DMP2225L-7
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
